Memoria RAM G.Skill Neo 32GB (2x16GB) 6000 MHz DDR5

Memoria RAM G.Skill Neo 32GB (2x16GB) 6000 MHz DDR5

La memoria DDR5 de la serie Trident Z5 Neo está diseñada para un rendimiento overclockeado ultra alto en plataformas AMD habilitadas para DDR5. Con la tecnología de overclocking AMD EXPO para un fácil overclocking de memoria en plataformas AMD compatibles, la serie Trident Z5 Neo es la opción ideal para construir sistemas de alto rendimiento.

Rendimiento espectacular DDR5 para AMD Ryzen

Diseñado para plataformas AMD habilitadas para DDR5, Trident Z5 Neo se crea a partir de circuitos integrados de DRAM DDR5 seleccionados a mano de alta calidad para lograr un alto rendimiento de memoria overclockeado en plataformas AMD DDR5. Para liberar el rendimiento de la memoria overclockeada, el Trident Z5 Neo viene con soporte AMD EXPO (perfiles extendidos para overclocking) para permitir una experiencia simple de overclocking de memoria en BIOS.

Diseño aerodinámico de doble textura

Al incorporar elementos de hipercoche, el Trident Z5 Neo está diseñado con un exterior elegante y futurista. Con una inserción de aluminio cepillado negro en un cuerpo negro mate con franjas resaltadas CNC de precisión, el Trident Z5 Neo es ideal para una multitud de temas de construcción de PC.

Diseñado para una experiencia DDR5 excepcional

Cada kit de memoria Trident Z5 Neo se prueba bajo el riguroso proceso de validación de G.SKILL para garantizar una calidad excepcional.

Soporte AMD EXPO

Simplemente configúralo y listo. Programado con perfiles de overclocking AMD EXPO, lo único que se interpone entre ti y un rendimiento increíble es una configuración de BIOS simple.

Especificaciones:

• Memoria
  • Tipo de memoria interna: DDR5
  • Memoria interna: 32 GB
  • Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
  • Frecuencia: 6000 MHz
  • Memory layout (modules x size): 2 x 16 GB
  • Latencia CAS: CL36
  • ECC: No
  • Memoria sin buffer: Si
  • Soporte de canales de memoria: Dual
• Detalles técnicos
  • Tipo de enfriamiento: Disipador térmico
• Control de energía
  • Voltaje de memoria: 1.35 V